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9:50-10:00 | はじめの御挨拶 西嶋光昭 |
10:00-11:00 | 座長 山本恵彦 ・STMテイップからの電子注入により誘起されたPd (110)表面に吸着した CO分子の表面拡散 (30分) 理研表面化学 金 有洙,米田忠弘,川合真紀 ・Si (111)-7x7における表面磁化の表面SHG法による測定 (30分) 理研,阪大工 鈴木隆則,V. Venkataramanan,青野正和 |
11:00-11:15 | 休 憩 |
11:15-12:05 | 座長 森田清三 ・Cu (100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子構造 東大院創域,東大院理 木口 学,斉木幸一朗,小間 篤 ・水素終端シリコン表面における原子構造と特性 (30分) 日立基礎研,東大工 橋詰富博,平家誠嗣,藤森正成,一杉太郎, 松浦志のぶ,渡邊聡,諏訪雄二,市村雅彦,小野木敏之 |
12:05-13:00 | 昼食休憩 |
13:00-14:20 | 座長 橋詰富博 ・力学に基づいた新しい原子・分子技術 ー非接触原子間力顕微鏡ー (30分 ) 阪大工 森田清三,菅原康弘 ・UHV-STMを用いた極薄Si窒化膜の原子構造解析 (30分) JRCAT-NAIR 森田行則,徳本洋志 ・Cl-adsorption processes for Si (111)2x2 surfaces Chiba Univ., Dept. of Phys. S. Sakurai and T. Nakayama |
14:20-14:35 | 休 憩 |
14:35-15:45 | 座長 庭野道夫 ・光第二高調波分光法によるGe/酸化膜界面に関する研究 北陸先端大材料 大橋弘明,佐野陽之,水谷五郎 ・Ag (110)表面吸着酸素の光誘起消失反応 (30分) 総研大 太田道春,渡邊一也,高木紀明,松本吉泰 ・準安定原子電子分光を用いたNiO (111)及びCs吸着面の価電子状態 東大院総合 鎌田豊弘,青木 優,増田 茂 |
15:45-16:00 | 休 憩 |
16:00-17:00 | 座長 水谷五郎 ・機能性有機分子膜の構築を目指して - Si (100)2x1面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態 - 東大物性研,理研,日本電子 浜口香苗,町田真一,長尾昌史, 安井芙美子,向井孝三,山下良之,吉信 淳,加藤浩之,奥山 弘, 川合真紀,佐藤智重,岩槻正志 ・Si (100)表面上におけるSiH4およびSi2H6分子の室温吸着過程 東北大電通研 篠原正典,瀬山顕雄,鎌倉 望,木村康男,庭野道夫 ・ARPUSとtight-binding 計算による Cu (100)(2√2x√2) R45-O表面の研究 - tight-binding 計算による物性予測の可能性について 筑波大物理,電総研 関場大一郎,井口玉美,脇本康史,福谷博仁, 渡辺(八木)一寿 |
17:00-17:15 | 休 憩 |
17:15-18:00 | 研究会の運営に関する意見交 換会 |
10:00-11:10 | 座長 上羽 弘 ・固体表面からのイオン脱離はどのような電子遷移過程によって起こっているか 名大院理 田中慎一郎 ・ランダム合金による表面フェルミ面ネスティングのチューニング 阪大院理 岡田美智雄 ・倍音振動状態にみる吸着水素原子の非局在性について (30分) 京大院理 奥山 弘,上田琢磨,有賀哲也,西嶋光昭 |
11:10-11:25 | 休 憩 |
11:25-12:05 | 座長 須藤彰三 ・Si (001) 面内Bi原子細線のX線定在波法による構造解析 阪大工精密科学,電総研電子デバイス部 斎藤 彰,石田 茂,倉田智, 三木一司,桑原祐司,青野正和 ・多光子光電子分光によるPt (111)表面上のグラファイト単一層電子励起状態の測定 横市大理,総研大 木下郁雄,狩野大輔,松本吉泰 |
12:05-13:00 | 昼食休憩 |
13:00-14:00 | 座長 松本吉泰 ・Pt (100)薄膜の創製とその表面におけるエチレンの水素化反応 (30分) 宇都宮大工 遠藤 哲,岩井秀和,江川千佳司,大木昌一 ・Si (100)面の初期酸化における酸素分子の並進運動エネルギーの影響 (30分) 日本原子力研究所放射光科学研究センター 寺岡有殿,吉越章隆 |
14:00-14:15 | 休 憩 |
14:15-15:25 | 座長 吉信 淳 ・Au (111)表面上でのDimethyldisulfide分子の吸着構造 物質研,JRCAT-融合研,筑波大,北陸先端大 林 智広,森川良忠,野副尚一 ・ピコ秒赤外レーザーを用いたゼオライト吸着オレフィン類のダイナミクス (30分) 東工大資源研 恩田 健,野口秀典,田辺衣加,和田昭英,堂免一成,広瀬千秋 ・亜酸化物の形成によるZrC (100)表面の活性化 東工大院物質科学 北岡弘行,小澤健一,枝元一之 |
15:25-15:40 | 休 憩 |
15:40-16:30 | 座長 川合真紀 ・Rh 触媒表面上での N2O 分解反応における酸素の生成機構 (Reaction-assisted desorption of O2) 筑波大物質工 国森公夫,田中伸一,亀岡 聡,上塚 洋,伊藤伸一 ・ヨウ素修飾した白金 (111) 電極上への銅のUPDと銅 (111) 電極上へのハロゲ ンの 吸着構造 (30分) 東北大院工,石巻専修大理工 犬飼潤治,脇坂 暢,大澤芳仁,指方研二, 板谷謹悟 |
16:30-17:00 | 表彰,おわりの御挨拶 西嶋光昭 |
先日,第一回表面エレクトロニクス研究会を開催させていただきました.多数の参加者(記帳者総数:96名) があり,私の予想をはるかに越えて,活気に満ちたすばらしい研究会になりました.講演者,座長,審査委員, 一般参加者,会場係の皆様方全員のご協力が無ければ,このような研究会にはならなかったと思います. まことに有り難うございました. 1.Student Prize 審査委員のうち研究会に出席される方によって,学生講演のうち最優秀者を決めていただくことになっておりました. 出席された審査委員(上羽,川合,橋詰先生;下記参照してください)が全員一致で ”機能性有機分子膜の構築を 目指してーSi(100)2x1面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態ー” を発表された東大物性研の浜口香苗 さんを推薦されました. 研究会代表からStudent Prizeを授与させていただきました(京都ワイン一本). 2.意見交換会合意事項 研究会初日の講演発表終了後,研究会の運営に関する意見交換会を開きました.出席者は吉森昭夫先生,座長,講 演者の属する研究室の代表の方々など約30人でした. 出席者全員一致で合意したことを明記しておきます. 1.昨今の10分前後の発表がたくさんあるような研究会ではなく,研究結果をじっくり聞き討論する時間も かなり持てる実質的な研究会とする. 2.主催者が講演者を指名し依頼するようなtop-down方式ではなく,応募されてきた講演が研究会を構成す るbottom-up方式を基本とする. 3.上記のことと研究会にかける日数(今のところ2日間ぐらい)を考慮すると,講演数を絞らざるを得ず, このため審査による選抜を行う. 4.審査委員会のメンバーの氏名ははじめから公表しておく. 5.学生への賞を今後も行う. 6.参加者から実費(予稿集代金など)を徴集する. *上記合意事項3は,結果として研究会の質を高めることが期待されます. 二日目もinformalに,少し意見交換させていただきました. 研究会の名称は”表面エレクトロニクス研究会”としておく. 学生に授与する賞の名称は”Student Prize”とする. ことに特に異議はありませんでした. 初日の意見交換会で招待講演の可能性も検討してはとの意見も出されました. *研究会終了後,これに関して次の御意見が寄せられました. ”招待講演を設けることには反対です.招待講演なし,ポスターなし,single sessionのみを特徴としたほう が良い.招待講演を行うようになると,普通のワークショップになってしまう.特徴のないワークショップの 一つのようになってしまうことは避けた方が良い.” 3.第二回表面エレクトロニクス研究会 初日の意見交換会で,第二回表面エレクトロニクス研究会の代表は総研大の松本吉泰先生にお願いし,2001 年に開催する.開催時期,開催場所は松本先生に一任する事になりました.松本先生には意見交換会での議論 を考慮して研究会を開催していただくことになりました. *研究会終了後,開催時期に関して次の御意見が寄せられました. ”学生が発表する目的の一つに,博士研究を広く公表して就職のオファーを受ける機会にするということがありま す.その意味においては,会議開催が就職活動の時期以前でなければ間に合いません.開催時期を5月か6月初 め頃までに設定できないでしょうか.” 4.第1回の表面エレクトロニクス研究会審査委員会のメンバー 最後になりましたが,上記合意事項4と関連して,第1回の審査委員会のメンバーの先生方の御承諾を得ましたので, 審査委員の氏名を公表させていただきます. 部 門 / 構造 / 物性 / 反応 物理学 / 酒井 明 / 菅 滋正 / 上羽 弘 化 学 / 川合真紀 / 中辻 博 / 岩澤康裕 応用物理学 / 橋詰富博 / 塚田 捷 / 尾浦憲治郎 (敬称略) 第一回の審査委員会の役目は終わりましたので,この審査委員会は解散させて頂きます. 審査委員各位には,ご多忙中のところ無理を申し,ご協力頂きました.有り難うございました. 昨年末,第一回研究会を企画させていただいたときは,bottom-up方式を採用したため,どのような方が参加され るのか,どのような内容が議論されるのか,参加者は多いのか,少ないのか,何人ぐらいか,第二回は開催されるのか, など全く不明の状態で始めました.また小規模な国内レベルの会議を考えていましたので,皆様にご相談せず,私一人 が主としてメールで広く呼びかけました.少し混乱をお掛けしましたが,私の努力不足でありまして,お許し下さい. このメモをもちまして,第一回表面エレクトロニクス研究会の最終報告とさせていただきます. (文責:西嶋光昭)
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